美光详解全球首款232层NAND：速度提升50%，实现最高TLC密度

昨晚，美光宣布全球首款232层NAND已在公司新加坡工厂量产，并将通过至关重要的英瑞达SSD消费产品线，在初期以封装颗粒的形式交付给客户。

现在，美光发表了一篇文章，介绍了232层NAND的相关技术。

官方表示，该技术节点达到了当今业界最快的NAND I/O速度:2.4 GB/s，比美光176层工艺节点提供的最高接口数据传输速度快50%与上一代产品相比，美光的232层NAND每芯片写带宽提升100%，读带宽提升75%

此外，美光的232层NAND引入了全球首款六平面TLC生产NAND，是所有TLC闪存中每芯片平面数量最多的产品，每个平面都具有独立的读取能力。

32层NAND精致的外形不仅给了客户设计上的灵活性，还实现了有史以来最高的TLC密度，其单位存储密度比目前市面上的TLC竞品高出35%至100%32层NAND，新封装尺寸比前几代Micron产品小28%11.5mm x 13.5mm的封装使其成为目前最小的高密度NAND在更小的空间内实现更高的容量，也有助于大大减少应用时占用的主板空间

美光的232层NAND也是第一款量产支持NV—LPDDR4的产品与过去的I/O接口相比，这种低压接口每比特传输可节省30%以上

美光表示，232层NAND的突破性功能将帮助客户在数据中心，更薄的笔记本电脑，最新的移动设备以及整个智能边缘领域提供更多创新的解决方案。

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